法布里-珀罗型LD是由n/p包层、夹在包层之间的有源层(发光层) 和2片镜片端面构成。

激光二极管充分利用直进性、微小光斑尺寸 (数um～)、单色性、高光密度、相干性 (coherent) 这些特点，被用在各种应用上面。

晶体管的主要功能是放大和开关电信号。它在现代电子设备中起着至关重要的作用，例如在收音机中，晶体管能够放大从空中传输过来的微弱信号，然后通过扬声器播放出来，这就是晶体管的放大功能。

栅极-源极电压产生的浪涌是指在功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）工作时，由于电压和电流的变化导致栅极和源极之间出现的意外、瞬时的电压波动现象。这种现象通常会在开关操作时出现，特别是在高速开关过程中更为显著。

LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了。与导通时相比，只是VDS和ID变化的顺序发生了改变，其他基本动作是一样的。与导通时的事件之间的对应关系：

当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会发生变化。在这个过程中，LS的ID沿增加方向流动，而HS的ID沿减少方向流动，受到等效电路图中表示的事件影响，产生了电动势。这个电动势会导致电流流向源极侧对CGS进行充电，在LS处将VGS向下推，在HS处将VGS向负极侧拉，产生负浪涌。

dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，因此它们产生的电流和电压在导通（Turn-on）和关断（Turn-off）时的极性是不同的。

LS（低侧）侧SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off时的VDS和ID变化方式不同。在讨论SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）的影响时，需要考虑包括SiC MOSFET的栅极驱动电路在内的等效电路。

SiC MOSFET构建的同步式升压电路中最简单的桥式结构。

SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，具有以下区别： 驱动电压 由于SiC-MOSFET的漂移层电阻低、通道电阻高的特性，其驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高时，导通电阻越低。SiC-MOSFET的导通电阻从Vgs约为20V开始变化（下降）并逐渐减小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V左右驱动，以充分获得低导通电阻。换句话说，两者之间的区别之一是SiC-MOSFET的驱动电压要比S

相对于IGBT，SiC-MOSFET在开关关断时降低了损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。

SiC肖特基势垒二极管为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。这种结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征是具备高速特性。