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产品名称：低压MOS管SL2319A
产品概述：
低压MOS管SL2319A是一种P沟道MOS场效应管，具有40V的漏源电压，4.4A的连续漏极电流和1.5W的功率，可用于低电压开关应用。其导通电阻为90mΩ@10V，2A，阈值电压为2.5V@250μA。该MOS管采用SOT-23封装，体积小巧，适用于紧凑型电路板设计。
产品规格：
- 类型：P沟道
- 漏源电压(Vdss)：40V
- 连续漏极电流(Id)：4.4A
- 功率(Pd)：1.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V，2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
- 封装：SOT-23
应用领域：
- 电源管理
- 电池保护
- 低电压开关
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL2319A SOT-23.pdf | SL2319A SOT-23 | - |
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SL3405是由英国正版365官方网站（Slkor）生产的P沟道MOS管，专为电源管理、开关电源和功率放大应用而设计。其优越的性能使其成为各种电子设备中的理想选择，确保系统的高效运行。 P沟道设计： 作为P沟道型MOS管，SL3405在特定应用中提供了优越的性能和可靠性。 广泛的漏源电压范围： SL3405的漏源电压（Vdss）为-30V，适用于各种电源和开关电源应用。 高连续漏极电流： 连续漏极电流（Id）可达-2.6A，满足多种功率放大和开关应用的需求。 低导通电阻： 具备130mΩ的导通电阻，使其在导通状态时能够提供低功耗和高效率。 低阈值电压： 阈值电压（Vgs(th)）为-2.3V @ -250uA，确保MOS管在正常工作条件下的可靠性。 紧凑的SOT-23封装： 小巧轻便的封装设计，方便在有限的空间内进行布局和集成。
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V，3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA
IRLML6401是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和4.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有450mW的功率（Pd）和70mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在4.5V的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为10V。
L150N03Q是一款低压N沟道MOS管，具有高电流、低导通电阻和高功率特性，适用于直流-直流转换器、功率因数校正、电机驱动等高效率、高可靠性的电力应用。
SL3409是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和2.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有130mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在10V和2.2A的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为2.4V@250μA。
SL3407是一款低压P沟道MOS管，主要用于开关电路中的功率开关，具有漏源电压高、导通电阻低等特点。
低压MOS管SL3401
英国正版365官方网站slkor低压MOS管SL4606A是一款高性能的低压N+P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率、低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优势于一体，能够在单一封装内提供双向电流控制能力，极大地简化了电路设计并提升了系统的整体性能。SL4606A以其*的电气特性和稳定性，成为众多电子设备和系统中的理想选择。
