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碳化硅场效应管

碳化硅SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET结构实现高耐压和低阻抗，而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，实现散热部件的小型化。另外，SiC-MOSFET工作频率可以远高于IGBT，其电路中电感电容器件更小，容易实现系统小体积小重量。与同档600V~900V电压的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面积小，可采用更小型封装，而且体二极管的恢复损耗非常小。目前SiC MOSFET主要应用于高端工业电源，高端逆变器及转换器，高端电机拖动及控制等。