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碳化硅肖特基二极管

碳化硅SiC能够以高频肖特基势垒二极管SBD结构的实现600V以上的高耐压快恢复二极管（硅Si的SBD最高耐压仅为200V左右），其导通压降比硅Si快恢复二极管低很多，关断恢复时间小，关断损耗低，产生的电磁干扰EMI小。采用SiC-SBD替换现在主流产品硅Si 快恢复二极管FRD，可大幅度减少总损耗，提高电源的效率，并且通过高频工作实现电感电容等无源器件的小型化，而且电磁干扰EMI更低。碳化硅SBD可广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的逆变器、电动汽车的电机拖动系统及快速充电器等。