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碳化硅SiC是一种由硅Si和碳C构成的化合物半导体材料，通常采用4H-SiC晶型。其绝缘击穿场强是硅Si的10倍，能隙是硅Si的3倍，导热系数是硅Si的3倍，饱和飘移速度是硅Si的2.7倍。是比硅Si优越非常多的功率电子器件材料。