图1显示了模拟I/O PAD模块的传统ESD方法。它由一个连接Vss到I/O PAD的二极管和连接I/O PAD模块到Vdd的二极管以及在Vdd和Vss之间的电源/轨钳位组成[1-5]。
IC设计人员之所以喜欢它，是因为这两个二极管的设计容易实现且硅占用面积小，寄生电容相当低。
图1：应用于许多I/O PAD模块的传统ESD方法：一个从Vss到I/O的二极管，另一个从I/O到Vdd的二极管。一个动力钳用于1/2应力组合。
对于敏感节点，IC设计人员会在I/O与电路之间增加一个隔离电阻，以增加ESD设计窗口。如果功能电路无法处理静电释放（ESD）电流，则在隔离电阻后面添加一个次级钳位（图2）。
图2：有时，IC设计人员会在I/O PAD模块和电路之间增加一个电阻，并在敏感电路前安放一个小的次级钳位。这会增加ESD设计窗口。
这种简单的方法存在多个问题，特别是高速接口的问题：
(1)隔离电阻严重影响高速运行效果并增加了噪声。
(2)ESD二极管可能会在信号PAD和电源线之间引入过多的寄生电容。
(3)由于PAD和Vdd之间的噪声耦合或信号电压可能高于参考Vdd电压，也有可能是因为配型问题，某些接口无法承受从I/O PAD模块到Vdd的二极管带来的电压刺激。
(4)对于敏感节点，预期ESD电流路径上的总压降可能高于功能电路的故障电压[5]。
减少电容（问题2）并提高电压容限（问题3）的简单方法是串联使用2个或更多个二极管。但是，这会导致在ESD应力出现更高的电压降，从而恶化问题4。2017年，提出了具有新型双极概念的替代方案[6-7]。
本文讨论的项目中，IC设计人员使用局部保护钳位概念代替了传统的双二极管ESD方法，如图3所示。如果功能性操作不能承受二极管从“ IN”到Vdd，则可以将其取下。这对于安全故障，热插拔，漏极开路输出，冷备用输入或耐压过高的接口来说是很典型的现象[8]。
图3：采用局部钳位ESD保护的简化电路原理图。如果需要进行功能操作，则可以去除IN和Vdd之间的二极管。在某些情况下，Vdd和“ IN”之间会再添加一个钳位。
局部钳位方法具有很多优点：
(1)减少对总线电阻的依赖
(2)ESD条件下的压降大大降低，而无需隔离电阻，非常适合敏感节点。
(3)为减少寄生电容提供了不同的选项（请参见下面的案例研究）
(4)可以分别针对每个I/O PAD进行优化。例如: 一些PAD可能需要更高的ESD耐受性，否则无法承受I/O和Vdd之间二极管的放电。
下面的案例研究总结了几种具有（超）低寄生电容的局部钳位方法，以保护从28nm CMOS到7nm FinFET各类的高速SerDes接口。在案例研究中使用了基于SCR的不同类型的局部钳位（图4）。二极管触发式SCR和ESD-on-SCR以前用于保护无线LNA接口[9]。
图4：案例研究中使用的两个ESD保护夹。一旦IO电平将二极管压降（Anode-G2）升高到高于Vdd电压，就会触发Sofics ESD-on-SCR。一旦AnodeG2和触发二极管被正向偏置，则Sofics DTSCR打开。
1.FPGA 28nm, 28Gbps SerDes
台积电（TSMC）28nm中的一系列*FPGA产品，客户需要定制的ESD保护单元。28Gbps SerDes接口需要以下规格:
-寄生电容远低于100fF。
-ESD等级：> 1kV HBM；> 250V CDM
选择了Sofics DTSCR钳位的缩小版本作为Tx和Rx接口的本地保护。在隔离电阻后面增加了一个次级本地CDM钳位，以保护Rx情况下的薄栅极氧化物（图5）。DTSCR，反向二极管和金属连接的寄生电容保持在80fF以下。
图5：28Gbps SerDes Rx（输入）阶段的示意图，显示了用于增强CDM保护的DTSCR本地钳位和二级保护阶段。
为了满足S11–回波损耗规范，在DTSCR上串联了一个电感器（图6）。符合包括CDM在内的所有规范。FPGA器件以4.5A的峰值电流达到300V以上。所有分析结果均已在IEW 2011活动中展示[10]。
图6：为了满足S11规范，在DTSCR上串联了一个电感器。线圈降低了10 GHz和20 GHz时的S11峰值。
2.通用SerDes 16nm，28Gbps
具有16纳米制程的28 Gbps SerDes的高速（数据中心）通信芯片需要定制的ESD保护方案。
本地ESD钳位必须满足这些要求：
-在ESD应力低于3.3V时具有故障电压的敏感薄氧化物0.8V核心晶体管的保护
-低泄漏ESD钳位，在高温（125°C）下低于10nA
-小硅片占用空间，可在同一通信芯片上启用多个通道
-无电阻
- > 2kV HBM
-最大ESD结电容为100fF
图7：Tx接口的差分对的保护概念的示意图。在差分对的两个路径上都添加了一个本地钳位和并联反向二极管。
基于对TSMC16nm FinFET技术的芯片进行的广泛分析，选择了ESD-on-SCR概念作为本地钳位器件。TLP数据如图8所示。
在小于1.000um2的面积内保护2安培以上的薄氧化物器件。高温下的泄漏约为1nA。
图8：用作本地钳位器件的SCR上ESD器件的TLP测量。在达到薄氧化物晶体管的故障电压之前，器件达到2A以上。
图9：SCR上ESD的电容仿真（Spice）。在PAD的电压范围内，电容均保持在100fF的目标电平以下。
为了确保ESD保护钳位不影响高速SerDes的运行，在PAD电压上模拟了寄生结电容，如图9所示。使用了基于二极管结的等效模型来模拟静电保护单元的电容负载。
3.硅光子学28nm，28Gbps
几家从事新型光收发器工作的公司联系我们寻求支持。对于常规的低速I/O（1.8V），铸造厂提供的模拟/数字I/O库已足够。这些PAD的ESD要求为2kV HBM。
另一方面，代工厂库中的模拟I/O为高速接口引入了过多的寄生电容。设计人员要求将ESD的总电容减小到15fF以下。
28nm CMOS SoC与硅光子器件共同封装在共享/混合集成封装中（图10）。由于这种倒装芯片组装是在ESD控制的环境中进行的，因此ESD保护级别可以降低至200V HBM，而不会影响成品率。
图10 ：（示例）使用倒装芯片键合工艺将电子IC（驱动器）封装在硅光子器件上（?IOP 2016 [11]）。
图11：在硅光子SerDes接口中使用的简化的Tx /输出电路。
28Gbps接口使用差分对概念，如图11所示。使用0.9V核心晶体管创建1V功能电路，以确保可以达到开关速度。但是，这些晶体管将Rx，Tx信号的可用ESD设计窗口减小到4V。
ESD保护的其他要求包括低漏电操作和小硅面积。
ESD保护设计包括完整的本地保护钳位概念，如图12所示。集成了1V电源钳位，以确保所有应力情况都可以在接口处进行本地处理，并消除了母线电阻的影响。整个钳位结构与基板隔离，以减少来自衬底的噪声，这些噪声可能来自芯片上与之较远的数字电路。
图12：SerDes电路的Rx和Tx节点的完整本地保护方法的示意图（左）。基于SCR上的ESD器件。基于SCR的1V电源钳夹集成在同一布局中（右）。ESD的总面积为683.75um2。
I/O PAD模块上的总寄生电容包括不同方面。结电容可以很容易地从代工厂提供的二极管Spice模型中得出。本地ESD钳位的金属连接会增加大量电容。寄生金属电容可以从PEX提取中得出。减小金属连接的宽度可以减小电容，但也会降低线路的稳定性。最小金属宽度是由我们通过对不同弄金属实施ESD应力得出的。
当客户要求使用超低电容（远低于100fF）的ESD保护时，PEX提取中将包括Metal dummy部分。
通过迭代过程（布局，PEX提取），ESD钳位电路的总寄生电容减小至小于15fF。下图将显示此过程中的不同步骤。下图（图13）显示了电容值与PAD上偏置电压的关系。
必须减小对地的寄生电容，以防止高频信号分流到地。
公式1：电容电抗Xc（以欧姆为单位）与信号频率（f）和电容（C）成反比
对于高频（> 50 Ghz），寄生电容表现为对地的电阻。该阻抗必须足够高。15 fF的电容在50 GHz时的电阻约为200欧姆。
在迭代过程中，为了减少金属连接对寄生电容的影响，使用了一些规则
-移除不必要的过孔连接
-尽可能减少金属1，仅将其放在连接扩散区的顶部。
-防止金属层1穿过结区。
-垂直（向上）连接
即使通过以上方法降低寄生电容，在*节点上仍有42%的寄生电容与金属连接有关。
图13：I / O电压上的寄生电容（仅总电容和结电容）。
使用HBM ESD应力的瞬态Spice模拟，将图12的局部钳位方法与其他2个概念进行了比较
-概念1：建议的局部钳位
-概念2：Foundry提供的I/O PAD模块（双二极管和Foundry建议的核心功率钳位）
-概念3：双二极管与Sofics 1V核心保护钳位组合
从图14可以清楚地看到，概念2和3产生的压降远高于基于薄氧化物晶体管[12]的敏感电路的故障电压（4V）[12]。
图14：HBM应力下的瞬态Spice模拟。比较了3个概念，以验证在ESD应力期间敏感节点上的电压降保持在最大4V以下。只有建议的局部钳位才能使ESD应力低于4V。使用1kV HBM应力和ESD器件缩放至1kV稳健性进行了比较。使用组合的NPN/PNP模型模拟SCR局部钳位的骤回。
4.硅光子7nm FinFET
为了进一步增加光互连的带宽（超过56 Gbps），我们的客户采用了TSMC 7nm FinFET技术。
所提出的解决方案类似于图12。创建了两种版本的ESD保护，一种具有50fF的寄生电容，另一种具有15fF以下的小电容。在论文中，将包括这些案例研究。
台积电（TSMC）的7纳米FinFET工艺的初步测试表明，SCR上的ESD本地钳位电路具有预期的效果（图15）。
在7nm技术中，内核晶体管（栅极到源极和漏极到源极）的故障电压约为3V。幸运的是，在许多SerDes应用中，由于其他晶体管串联在一起，会有更多的余量（图11）。根据电路原理，这些电路的故障电压约为4-5V。
7nm ESD钳位已集成到2个用于高速接口的设计中。在撰写本文时，这些产品样本尚未到位，因此CDM数据尚不可用。
图15：基于TSMC 7nm技术的ESD-on-SCR概念的TLP分析。保护敏感的内核晶体管。这种用于2kV HBM性能的参考器件已按比例缩小到15fF和50fF版本，以保护高速SerDes。
总结
用于模拟I/O PAD模块的传统“双二极管” ESD保护概念在保护*CMOS和FinFET节点中的高速SerDes接口时遇到了问题。二极管，总线电阻和功率钳位上的总压降很容易超过核心晶体管的故障电压。此外，“二极管向上”增加了限制因素。
这项工作显示了几个案例研究，其中双二极管概念被替换为本地ESD保护钳位。
基于专有的二极管触发和ESD-on-SCR器件的I/O PAD模块。本地钳位降低了总线电阻的依赖性，降低了钳位电压，并允许分别优化每个模拟I/O。此外，这些案例表明，可以创建具有非常低的寄生电容和较小的硅面积的ESD保护。
数据基于*CMOS和FinFET节点上的专用ESD测试芯片。这项工作中的模拟I/O被20多家公司用于保护28nm CMOS，16nm/12nm和7nm FinFET技术的高速SerDes接口。
免责声明：本文转载自“IP与SOC设计”，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。
