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强势进军现代电力电子,*开启SiC年，推动第三代半导体高质量发展

强势进军现代电力电子,*开启SiC年，推动第三代半导体高质量发展

其他|other else|

2022-09-14 09:00:14 0

近年来，SiC（碳化硅）作为典型的第三代半导体材料，在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势。现代电力电子领域对高功率、高电压、高频率具有巨大需求，是SiC功率产品的主要应用领域。SiC功率产品典型市场包括轨道交通、风电、光伏、新能源汽车及其配套充电桩、不间断电源等，应用领域广泛。

十三所自2004年开始对SiC材料、器件进行工艺研究，与国际先进水平同步。经过多年的建设和发展，2017年4英寸SiC电力电子工艺线正式实现批产供货；为进一步扩充产能、对标国际先进，2019年我所采用改扩建方式完成了SiC电力电子6英寸工艺线。截止目前，6英寸SiC电力电子工艺线已稳定生产供货近3年。期间通过不断优化产品性能指标，我所技术团队又基于6英寸工艺线完成了第三代薄片工艺SiC SBD和第三代SiC MOSFET产品开发，产品指标均可对标国际一线品牌。

近年来电动汽车市场快速增长，其中高压SiC MOSFET作为电动汽车主逆变器和车载充电器的核心元器件，市场需求量巨大。尤其是用于主逆变器的1200V/100A高压、大电流SiC MOSFET芯片，代表了当前SiC电力电子芯片技术的*高水平，全球范围内具备批量供货能力的厂家屈指可数。我所经过多年的技术积累和艰苦攻关，突破多项关键技术，完成了车规级1200V/100A SiC MOSFET芯片产品批量生产，导通电阻小于13mΩ，实现了160mΩ、80mΩ、40mΩ、25mΩ、15mΩ、13mΩ等产品的系列化，产品品质得到了国内多家车企的认可。

2022年，十三所大力推进碳化硅在电力电子领域运用发展，*开启“碳化硅年”，并深入布局，围绕“技术突破”和“市场拓展”两个重点，以现有的6英寸碳化硅工艺线为硬件基础，同时布局产业化公司发展。所控股公司--北京国联万众半导体科技有限公司，作为十三所发展产业重要组成部分，以成为“*网信事业主力军”为发展战略，以实现半导体核心器件自立自强为己任，以解决第三代半导体关键技术和实现产业化为目标，依托十三所现有人才、技术和产业基础，以国创中心（北京）为平台，集聚国内外优势资源，全球招聘*人才，对接资本市场，加快第三代半导体工艺线规模化建设；开展封装、模块、检测、应用、科技孵化与服务等全产业链发展，力争成为国际*的第三代半导体骨干企业。

上半年，十三所当选河北省半导体产业联盟理事长单位、河北省第三代半导体产业创新联合体理事长单位，将牵头打造河北省SiC产业链。