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一文读懂先进封装的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer

一文读懂先进封装的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer

老虎说芯|Tiger Chip|

2024-09-19 10:25:37 534

先进封装的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸点）、RDL（重布线层）、Wafer（晶圆）——在现代半导体封装中扮演了核心角色。它们在封装工艺中各自承担的功能，从不同维度推动了芯片小型化、集成度和性能的提升。

1. Wafer（晶圆）：基础材料和封装载体

Wafer 是先进封装的基础，作为芯片制造的载体和平台。它由高纯度的硅材料制成，晶圆的质量和尺寸直接影响芯片的性能和良率。先进封装中，Wafer不仅是芯片制造的核心，也是未来异质集成和多芯片封装的基础。

技术作用：晶圆是所有半导体电路加工的基础，芯片的电路都是在晶圆上进行光刻、刻蚀和沉积等复杂工艺加工而成。

随着晶圆尺寸的增大（如从200mm到300mm），可以在单个晶圆上制造更多芯片，从而提升生产效率，降低成本。

晶圆的纯度和表面平整度对于芯片的性能至关重要，尤其是在先进制程（如3nm、2nm）下，对结构缺陷的控制要求极高。

为什么Wafer是四大要素之一：Wafer作为封装和集成电路的核心材料，是所有后续封装步骤的基础载体。没有高质量的晶圆，后续的TSV、Bump、RDL等技术也无法实现高效集成。

2. Bump（凸点）：芯片与封装基板的电气和机械连接

Bump 是实现芯片与封装基板之间连接的重要元素，类似于桥梁连接两者。通过Bump，电信号可以从芯片传输到封装基板，完成芯片与外部系统的通讯。

技术作用：Bump的尺寸和密度对芯片封装的整体性能起着重要作用，尤其是在微型化封装（如倒装芯片技术Flip-Chip）中，凸点的大小和排列会直接影响封装的可靠性和散热性能。

现代无铅材料如铜柱Bump替代了传统的锡铅合金凸点，不仅在环保方面更优，还具有更高的导电性和机械强度，适合高性能计算和移动设备。

为什么Bump是四大要素之一：Bump承担着实现芯片与部基板的可靠电气连接，并确保稳定的信号传输。它是实现芯片封装接口的核心技术，直接影响芯片的散热、导电性和机械强度。

3. RDL（Redistribution Layer，重布线层）：重新分配电气信号

RDL是用于在芯片封装中重新分配电信号的金属层，类似于一座城市中的道路网络。它通过改变芯片上引脚的布局，实现更高密度的信号连接，从而在有限空间内提高封装性能。

技术作用：RDL能够扩展和重新分配信号路径，将芯片上的输入/输出引脚（I/O）从密集区域重新布线至较大区域，避免传统封装中引脚密度不足的问题。

现代封装中，RDL层的设计已经从单层发展为多层结构，以应对复杂信号和高密度集成的需求。尤其是在Fan-Out（扇出型）封装和WLP（晶圆级封装）中，RDL的精细化布线技术成为核心。

为什么RDL是四大要素之一：RDL通过重新布线，有效提升了芯片的I/O密度和信号传输效率，能够支持多层电路互连以及先进封装中的异质集成。这使其成为封装高性能化和小型化不可或缺的技术。

4. TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）：实现垂直方向的电气互连

TSV 是一种在硅片中开孔，允许电信号在芯片的不同层之间垂直传输的技术，主要用于3D集成电路和2.5D封装。

技术作用：通过TSV技术，芯片可以通过垂直方向的电气互连，实现多层芯片堆叠，显著提高了芯片的互连密度和集成度，降低了信号延迟和功耗。

2.5D TSV通过转接板（interposer）将多个芯片集成在一起，而3D TSV则通过芯片直接垂直堆叠，实现更高的集成度和效率。

为什么TSV是四大要素之一：TSV为垂直方向上的芯片互连提供了有效解决方案，特别是在3D封装中，TSV可以大大缩短信号传输距离，提升芯片集成度，适应了高性能计算和AI芯片对高效能的需求。

小结一下：Wafer、Bump、RDL和TSV是先进封装中的四大关键技术要素，它们分别从材料基础、连接、信号分配和垂直互连四个角度，解决了高性能封装中的不同问题。Wafer是芯片封装的载体，Bump连接芯片与外部基板，RDL优化了信号布线，TSV则实现了垂直互连。它们共同推动了半导体封装技术向更小尺寸、更高密度和更高性能的方向发展。

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