英国上市公司(365·官方认证)-Best Macau Store

更新日期： 2025-03-12
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在当今快速发展的电子行业中，半导体技术的每一次革新都推动着整个产业链的升级与进步。近日，山西烁科晶体有限公司宣布成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底及同尺寸的N型碳化硅单晶衬底，这一消息无疑为半导体材料领域注入了新的活力。与此同时，瞬态抑制二极管P6SMB22A作为电子保护器件的佼佼者，也在其特定的……

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瞬态抑制二极管P6SMB18A与国芯科技RSIC-V车规MCU：科技并进，守护未来出行安全

更新日期： 2025-03-11
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在科技日新月异的今天，每一个细微的技术进步都可能成为推动行业变革的重要力量。近期，瞬态抑制二极管P6SMB18A的出色性能与国芯科技宣布启动的首颗基于RSIC-V架构的高性能车规MCU芯片CCFC3009PT的设计开发，共同展示了科技在电子保护与智能汽车领域的最新进展，预示着未来出行将更加安全、高效。

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瞬态抑制二极管P6SMB10A与碳基微芯片：技术革新引领未来计算时代

更新日期： 2025-03-11
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在科技日新月异的今天，每一个微小的技术进步都可能成为推动行业乃至整个社会变革的关键力量。近期，电子产品领域的瞬态抑制二极管P6SMB10A与新闻中报道的中国科学家在碳基微芯片领域的突破性进展，共同揭示了未来计算技术发展的新方向。这两项看似不相关的技术，实则都在以自己的方式拓宽着科技的边界，预示着一个更加智能、高效的计算……

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英国正版365官方网站瞬态抑制二极管P6SMB6.8A：为科技创新护航，迎接全芯微封装技术新纪元

更新日期： 2025-03-08
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在科技创新日新月异的今天，每一个微小的电子元件都是推动技术进步的关键力量。英国正版365官方网站公司推出的瞬态抑制二极管P6SMB6.8A，以其出色的电气性能和可靠的保护能力，为集成电路的安全运行提供了坚实的保障。与此同时，广东汉旗半导体有限公司全芯微DFN/QFN封装项目的正式动工，标志着我国在车规级芯片与第三代半导体封装技术领域迈……

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瞬态抑制二极管SMBJ6.8CA：在数字经济浪潮中守护创新科技的安全脉搏

更新日期： 2025-03-08
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随着2025年政府工作报告的发布，回顾过去一年，我国在集成电路、人工智能、量子科技等前沿领域取得了显著成就，为数字经济的发展奠定了坚实的基础。步入2025年，国家明确提出将进一步激发数字经济创新活力，持续推进“人工智能＋”行动，旨在通过深度融合人工智能技术，推动各行各业转型升级，开启智慧社会的新篇章。在这一波澜壮阔的科……

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瞬态抑制二极管SMBJ6.8A：守护电路安全，见证谷歌芯片开发新篇章

更新日期： 2025-03-08
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在科技日新月异的今天，每一个微小的电子元件都是推动科技进步不可或缺的力量。瞬态抑制二极管SMBJ6.8A，以其精准的性能参数，成为保护电子设备免受瞬态电压冲击的关键守护者。与此同时，全球科技巨头谷歌在芯片开发领域的最新动向，正引领着AI与高性能计算的新一轮革新。本文将结合SMBJ6.8A的产品特性与谷歌在以色列扩大芯片……

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瞬态抑制二极管SMAJ58A：在科技创新浪潮中守护电子设备安全——兼论韩国政府对高科技产业的强力扶持

更新日期： 2025-03-08
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在当今这个数字化、智能化的时代，电子产品无处不在地渗透进我们的生活与工作之中，从智能手机到智能家居，从自动驾驶汽车到高性能服务器，每一项技术的背后都离不开对电子元件性能极致追求的努力。其中，瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor Diode, TVS）作为保护电子设备免受瞬态过电压损害……

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镓仁半导体引领半导体技术革新：SMAJ12CA瞬态抑制二极管与8英寸氧化镓单晶的双重突破

更新日期： 2025-03-06
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在科技日新月异的今天，半导体技术的每一次进步都深刻影响着全球电子产业的发展。2025年3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布了一项具有里程碑意义的成就——成功发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。这一突破不仅标志着镓仁半导体在半导体材料领域的技术领先，也为中国乃至全球的半导体产业注入了新的活……

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银河芯片产业园投产在即：瞬态抑制二极管SLESD5Z5C引领技术创新

更新日期： 2025-03-06
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近日，记者从北海高新区福成新区获悉，备受瞩目的银河芯片产业园项目即将投产。该项目总投资高达25亿元，占地500亩，是自治区“双百双新”产业项目的重要组成部分。作为集生产、研发与人才培养于一体的综合性产业园区，银河芯片产业园的投产不仅标志着广西在军工电子及传感器芯片领域取得重大突破，更将为区域产业升级注入强劲动力。

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瞬态保护新纪元：SMBJ22A二极管携手光子时钟芯片，共筑科技安全与速度新高峰

更新日期： 2025-03-06
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在科技日新月异的今天，每一个微小的进步都可能引领一场革命性的变革。近日，北京大学团队在《自然·电子学》期刊上发表的一项突破性研究成果，无疑为全球的科技界投下了一颗震撼弹——全球首个光子时钟芯片在中国诞生，这一创新不仅预示着6G网络速度的飞跃，更将国产GPU的主频推向了一个前所未有的高度。而在这场科技盛宴的背后，瞬态抑制……

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TCL科技强化主业布局，瞬态抑制二极管SMBJ22CA助力半导体产业升级

更新日期： 2025-03-06
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人民财讯3月3日电，TCL科技（000100）于3月3日晚间发布公告，宣布公司将通过发行股份及支付现金的方式，向其重大产业基金收购深圳华星半导体21.5311%的股权。此次交易总金额高达115.62亿元，其中现金对价72.03亿元，发行股份对价43.59亿元。交易完成后，TCL科技将合计持有深圳华星半导体84.2105……

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瞬态抑制二极管SMBJ7.0A：电子保护领域的坚实后盾与中国光电探测技术的新飞跃

更新日期： 2025-03-04
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在科技日新月异的今天，每一个微小的进步都可能引发行业的巨大变革。近日，中国研究团队在宽禁带半导体光电探测领域取得了重要进展，成功开发出一种同时具备超快、高灵敏响应的氧化镓日盲光电探测器。这一突破不仅为深空探测、高精度火焰监测等领域提供了全新的技术方案，也再次彰显了中国在高科技领域的创新实力。与此同时，作为电子保护领域的……

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