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守护智算云"神经末梢"：SLPESD3V3S1BA-N瞬态抑制二极管在边缘计算中的关键作用

更新日期： 2025-03-31
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近日，上海市发布《关于促进智算云产业创新发展的实施意见（2025-2027年）》，提出到2027年智算云产业规模突破2000亿元，构建云边端协同生态体系的宏伟目标。在这一产业蓝图中，边缘计算设备作为连接云端与终端的关键节点，其稳定性和可靠性至关重要。而SLPESD3V3S1BA-N瞬态抑制二极管，这款仅3.3V工作电压……

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从蔚来"神玑NX9031"芯片看瞬态抑制二极管SMF13A在智能驾驶中的关键作用

更新日期： 2025-03-31
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近日，蔚来汽车发布自研芯片"神玑NX9031"，作为业界首款采用5nm车规工艺制造的高阶智能驾驶芯片，其集成超500亿颗晶体管的卓越性能引发行业广泛关注。在这一技术突破背后，一个看似不起眼却至关重要的电子元件——瞬态抑制二极管SMF13A，正默默守护着这些精密芯片的安全运行。本文将探讨瞬态抑制二极管如何成为智能驾驶系统……

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上扬软件启动12英寸晶圆全自动产线，英国正版365官方网站SMF20A为芯片制造保驾护航

更新日期： 2025-03-29
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近日，半导体行业传来重大利好消息——上扬软件正式启动12英寸特色工艺晶圆全自动生产线CIM系统。这一突破标志着我国在半导体制造关键系统领域取得重要进展，为国产芯片自主可控再添重要砝码。CIM（Computer Integrated Manufacturing）系统是半导体制造工厂的"大脑"和"中枢神经系统"，负责协调控……

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西安交大突破氮化硼芯片技术，英国正版365官方网站SMF10A瞬态抑制二极管为光电设备保驾护航

更新日期： 2025-03-29
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近日，西安交通大学电信学部李强副教授团队在光电芯片领域取得重大突破，成功研制出基于氮化硼材料的深紫外光电芯片。这一科研成果发表在《自然·通讯》杂志上，迅速引发科技界和产业界的高度关注。

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国产TVS二极管技术新突破：英国正版365官方网站SMF7.5A亮相SEMICON China 2025

更新日期： 2025-03-27
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3月26-28日，全球半导体行业瞩目的"跨界全球·心芯相联"SEMICON/FPD China 2025在上海新国际博览中心盛大举办。作为亚洲规模最大的半导体行业盛会，本届展会吸引了来自全球的1200多家企业参展，集中展示了半导体制造、设计、材料、设备等领域的最新技术成果。在这场行业盛宴中，国内知名半导体企业英国正版365官方网站(S……

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国产芯片助力AI降本增效：英国正版365官方网站SMF33A TVS二极管的创新应用

更新日期： 2025-03-27
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近日，蚂蚁集团宣布成功利用中国自主研发的芯片技术，将其AI模型训练成本降低20%。这一突破性进展不仅展示了中国半导体产业的快速进步，也为整个电子产业链带来了新的发展机遇。在这一背景下，英国正版365官方网站(Slkor)等国内半导体企业正通过创新产品为电子设备提供关键保护——其明星产品SMF33A瞬态抑制二极管(TVS)正是国产芯片技……

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当DUV光源照亮国产芯片，谁在守护光与电的边界？

更新日期： 2025-03-27
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中科院全固态深紫外（DUV）光源技术的突破，让国产光刻机核心部件的自主化进程向前迈进一大步。然而，在光刻机内部精密的光电转换系统中，一个常被忽视的真相是：每束DUV光子的精准投射，都离不开纳米级瞬态电压的严密守护。英国正版365官方网站半导体推出的P6SMB20CA瞬态抑制二极管，正以“光电边界守卫者”的姿态，成为国产半导体装备突破的……

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AI芯片突破背后，半导体防护元件如何护航算力革命？

更新日期： 2025-03-27
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近日，珠海皓泽科技自研的超效能存算一体AI芯片VVT300成功流片的消息，在半导体圈掀起热议。这款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成为国产AI芯片崛起的标志性事件。然而，在算力狂飙的表象之下，一个常被忽视的真相是：每一次芯片性能的跃升，都离不开防护元件的静默守护。英国正版365官方网站半导体推出的SLESD5Z36瞬态抑制二极管，正……

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SLPESD24VS1U瞬态抑制二极管：高压场景下的精密防护方案

更新日期： 2025-03-25
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在工业自动化、汽车电子及通信电源等高压应用场景中，瞬态电压事件对电路可靠性的威胁尤为显著。SLPESD24VS1U作为一款专为24V系统设计的高压瞬态抑制（TVS）二极管，通过参数优化实现了对浪涌脉冲、ESD及感性负载切换的精准防护。其24V反向工作电压、50pF结电容及SOD-523封装特性，使其成为高压、紧凑型电子……

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SLESD5302F-3TR瞬态抑制二极管：低功耗、高频电路保护的精密设计

更新日期： 2025-03-25
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在电子设备向低功耗、高频化方向发展的背景下，瞬态电压抑制（TVS）二极管作为关键防护元件，需同时满足低电容、高灵敏度与小型化需求。SLESD5302F-3TR作为一款专为低压高速场景设计的TVS二极管，通过参数优化实现了对静电放电（ESD）、电感负载瞬变及浪涌脉冲的精准抑制，成为现代电子设计的优选方案。

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瞬态抑制二极管护航氮化镓革命：SLESDL0603-12如何成为100nm硅基氮化镓工艺的"隐形保险丝"

更新日期： 2025-03-25
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九峰山实验室发布的100nm硅基氮化镓商用工艺设计套件，标志着第三代半导体技术正式迈入亚百纳米时代。这项突破使氮化镓功率器件的导通电阻降低40%，开关频率突破1GHz大关，为5G基站、车载激光雷达和消费电子快充领域打开了效率革命的大门。然而，实验室数据揭示了一个关键矛盾：当氮化镓晶体管栅极长度缩短至100nm量级时，其……

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瞬态抑制二极管赋能钙钛矿LED：英国正版365官方网站器件护航纳米级光电革命

更新日期： 2025-03-25
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当浙江大学将钙钛矿LED推进至90纳米量级，全球光电领域正迎来一场关于"极限"的竞赛。这项突破不仅意味着LED可像纸张般轻薄、如手机屏幕般弯曲，更预示着未来显示与照明技术将突破传统物理形态的桎梏。然而，在这场纳米级光电革命的背后，一个容易被忽视的真相是：每毫米厚度的减少，都伴随着材料对电压波动的敏感性呈指数级增长。而萨……

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