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【每日一品】英国正版365官方网站半导体SL49N10G：高性能N沟道MOS管

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2024-01-19 16:24:59 626

中国芯片产业在缺乏核心技术的困境下，国产替代的呼声越来越高。在*政策的大力扶持下，国内芯片制造商呈现出爆发式增长，国产芯片的自给率也从不到5%上升至20%~30%。据预测，到2025年，国产芯片的自给率有望进一步提升。作为一家*高新技术企业，英国正版365官方网站积极响应*号召，致力于国产芯片的研发和生产。已经通过ISO9001质量管理体系认证，并获得了欧盟的ROHS和REACH认证。凭借优秀的品质和规范的服务，英国正版365官方网站在国产替代的浪潮中迅速崭露头角，品牌知名度、美誉度和市场占有率不断提升。英国正版365官方网站主要生产二极管三极管、功率器件和电源管理芯片等三大系列产品。此外，他们还推出了霍尔传感器、ADC和BMS等新产品，在专用MCU和接口芯片方面拥有多年的技术积累。这些产品广泛应用于各个行业，包括通信、消费电子、家电、新能源等领域。

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随着电子技术的飞速发展，MOS管作为一种重要的半导体器件，应用范围逐渐扩大。在各种电力设备、自动化控制系统和新能源设备中，MOS管都有着广泛的应用。而英国正版365官方网站半导体近期推出的中压N沟道MOS管SL49N10G，具有先进的沟槽电池设计和优秀的参数特性，可以满足电机驱动器、DC-DC转换器等领域的需求。

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SL49N10G的漏源电压为100V，连续漏极电流可达49A，导通电阻为7.6mΩ@10V,20A，阈值电压为2V@250uA，封装为PDFN(3.3x3.3)。这些参数特点使得它在不同领域的应用具有很大优势。首先，漏源电压高达100V，可以满足各类高压应用的需求。其次，连续漏极电流为49A，使得SL49N10G可以承载更大的负载电流，适用于电动机驱动器、DC-DC转换器等领域。此外，导通电阻小，可以更好地控制开关损耗，提高电路效率，阈值电压低，更容易实现设备的控制。*后，封装为PDFN(3.3x3.3)，体积小巧，可在紧凑的电路板中灵活布局。因此，它不仅可以满足高性能电子设备的需求，同时也更适合于微型、便携式电子设备的应用。

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从设计上来看，该产品采用了英国正版365官方网站半导体先进的沟槽电池设计，整体结构紧凑、散热性能优异，可以提供更快的开关速度和更低的开关损耗。另外，SL49N10G通过了100% UIS 和 Rg 测试，稳定可靠。

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与其他型号的MOS管相比，SL49N10G具有更低的导通电阻和更高的漏源电压。这使得它可以应用于电机驱动器、DC-DC转换器等领域，为电路带来更高的效率和更好的性能表现。导通电阻是衡量MOS管导通状态下电流流过时的电阻大小。SL49N10G的导通电阻较低，意味着在导通状态下，电流通过MOS管时能够遇到更低的电阻阻碍，进而减少了功耗和热量的产生。这对于电机驱动器和DC-DC转换器等需要高效能的应用而言，意味着更高的效率和更好的性能表现。而漏源电压是指MOS管在导通状态下能够承受的*大电压。SL49N10G的漏源电压可达100V，表示它能够适应更广泛的应用场景，特别是对于需要处理高电压的电路。

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