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银河芯片产业园投产在即：瞬态抑制二极管SLESD5Z5C引领技术创新

银河芯片产业园投产在即：瞬态抑制二极管SLESD5Z5C引领技术创新

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2025-03-06 18:54:45 658

近日，记者从北海高新区福成新区获悉，备受瞩目的银河芯片产业园项目即将投产。该项目总投资高达25亿元，占地500亩，是自治区“双百双新”产业项目的重要组成部分。作为集生产、研发与人才培养于一体的综合性产业园区，银河芯片产业园的投产不仅标志着广西在军工电子及传感器芯片领域取得重大突破，更将为区域产业升级注入强劲动力。

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银河芯片产业园将建成多条生产线，专注于年产100万只接触式位移传感器、100万只非接触式位移传感器、100万只位移传感器芯片以及15亿只精密芯片电阻器的生产。这些产品的广泛应用将为智能制造、工业自动化、物联网等领域提供关键元器件支持，进一步提升广西在高端电子元器件产业链上的竞争力。

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值得一提的是，在半导体行业的生产线中，瞬态抑制二极管SLESD5Z5C将扮演重要角色。这款高性能的二极管具有多项*特性，其反向截止电压（VRWM）为5V，能够确保在正常工作电压下稳定工作而不发生漏导。同时，其*小击穿电压（VBR min）为5.6V，*大击穿电压（VBR max）为7.8V，这样的设计不仅保证了器件在电压瞬变时的快速响应，还提供了足够的安全裕量，防止因电压波动引起的设备损坏。

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此外，SLESD5Z5C的反向漏电流（IR）仅为1μA，这在降低功耗、延长设备使用寿命方面具有重要意义。在如今追求高效、节能的时代背景下，这一特性使得SLESD5Z5C成为众多电子设备中的优选元件。而30pF的电容值（CJ）则确保了该器件在高频电路中的稳定表现，满足现代电子设备对信号快速处理的需求。

SLESD5Z5C采用SOD-523封装，这种紧凑、可靠的封装形式不仅节省了电路板空间，还提高了生产的自动化程度，降低了组装成本。随着银河芯片产业园的投产，高性能电子元器件的大规模生产将成为可能，为广西乃至全国的电子信息产业注入新的活力。

银河芯片产业园的配套建设同样引人注目。园区内将建设芯片研究院和博士后工作站，为科技创新和人才培养提供强有力的支撑。研究院将聚焦芯片设计、制造、封装测试等关键环节，推动科技成果转化和产业升级。博士后工作站则致力于吸引和培养高层次人才，为园区的持续发展提供智力支持。

银河芯片产业园的投产对于广西来说具有里程碑式的意义。它将填补广西在军工电子及传感器芯片领域的产业空白，补齐高端电子元器件产业链短板。随着园区内各条生产线的逐步投产，预计将在未来几年内形成千亿级的产业集群，吸引更多的产业龙头企业集聚，共同推动区域产业升级和经济发展。

综上所述，银河芯片产业园的投产不仅是对广西电子信息产业发展的有力推动，更是对全国乃至全球电子元器件市场的重要补充。高性能电子元器件的量产和应用，将为智能制造、物联网等新兴产业的发展提供坚实的硬件基础。我们有理由相信，在银河芯片产业园的引领下，广西的电子信息产业将迎来更加辉煌的明天。

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