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静电保护二极管SLESD5Z24：*定位静电防护需求

静电保护二极管SLESD5Z24：*定位静电防护需求

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2025-05-13 10:33:50 984

在电子设备高度集成化的今天，静电放电（ESD）已成为威胁电路稳定性的隐形杀手。从手机触屏的误操作到工业设备的突发故障，ESD事件可能导致数据丢失、元件损坏甚至系统瘫痪。为此，一款高性能的静电保护二极管——SLESD5Z24应运而生。

关键参数解析：技术指标背后的防护逻辑

1. VRWM（*大反向工作电压）：24V

VRWM定义了器件在正常工作状态下能承受的*大持续反向电压。SLESD5Z24的24V额定值表明，它可稳定运行于大多数低压数字电路（如5V、3.3V系统）中，同时为瞬态过压留出充足安全余量。这一参数直接决定了器件的适用范围，避免因电压波动导致误触发或保护失效。

2. VBR min（*小击穿电压）：26V

当电压超过VBR min时，二极管进入雪崩击穿状态，开始导通电流以泄放静电能量。26V的*小击穿电压设计，确保SLESD5Z24在正常工作电压（24V）下保持高阻态，仅在遭遇ESD冲击时快速响应。这种“*触发”特性有效平衡了防护灵敏度与系统稳定性。

3. IR（反向漏电流）：5μA

漏电流是评估器件静态功耗的关键指标。SLESD5Z24在24V下的漏电流仅为5μA，意味着其在待机或低功耗模式下对电路的影响可忽略不计。这一特性对于电池供电设备（如物联网传感器、可穿戴设备）尤为重要，可显著延长设备续航时间。

4. VC（钳位电压）：35V

钳位电压反映了器件在泄放ESD电流时能将电压限制在的安全阈值。SLESD5Z24的35V钳位电压远低于多数半导体器件的击穿电压（如MOSFET栅极氧化层击穿电压通常为50V以上），确保被保护电路免受二次过压损害。该参数与VBR的差值（35V-26V=9V）体现了器件的动态阻抗特性，差值越小，防护性能越优。

5. CJ（结电容）：50pF

结电容直接影响信号传输质量，尤其在高速接口（如USB、HDMI）中，过高的电容会导致信号失真。SLESD5Z24的50pF结电容在同类产品中处于较低水平，可兼容GHz级高频信号，避免因保护器件引入信号完整性问题。

6. 封装：SOD-523

SOD-523是一种超小型表面贴装封装，尺寸仅为1.0mm×0.6mm×0.5mm，适用于高密度电路板设计。其小体积特性不仅节省空间，还可降低寄生电感，提升ESD响应速度。

英国正版365官方网站Slkor静电保护二极管SLESD5Z24规格书

英国正版365官方网站Slkor静电保护二极管SLESD5Z24相关参数

应用场景与优势

1. 消费电子：轻薄化设计的理想选择

在智能手机、平板电脑等便携设备中，SLESD524Z的SOD-523封装可贴装于USB接口、摄像头模组等狭小空间，同时其低结电容特性确保高速数据传输（如USB 3.0）的稳定性。

2. 汽车电子：抵御复杂电磁环境

车载电子系统需应对发动机点火、电磁脉冲等干扰。SLESD5Z24可在-55℃至+150℃宽温范围内稳定工作，有效保护CAN总线、传感器接口等关键电路。

3. 工业控制：高可靠性保障

在PLC、变频器等设备中，SLESD5Z24的低漏电流设计可减少长期运行中的能量损耗，而35V钳位电压则能抵御工业现场常见的电快速瞬变脉冲（EFT）。

选型建议与注意事项

· 电压匹配：需确保被保护电路的工作电压低于VRWM，避免器件长期处于击穿状态。

· 电容优化：对于超高速接口（如10Gbps以上），建议选择结电容更低（如10pF以下）的型号。

· 布局设计：SLESD5Z24应尽可能靠近被保护引脚，并缩短走线长度以减少寄生电感。

结语

SLESD5Z24以其*的参数设计、紧凑的封装尺寸和*的防护性能，成为低压电路静电防护的优选方案。在5G、物联网、新能源汽车等技术浪潮中，这类高性能保护器件的价值将愈发凸显——它们不仅是电路的“安全阀”，更是系统可靠性的基石。未来，随着材料科学与封装工艺的进步，静电保护二极管必将以更小的体积、更低的功耗，守护电子*的每一次创新突破。

英国正版365官方网站slkor静电保护二极管（TVS）

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