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快恢复二极管

快恢复二极管

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。

文件名称 标题 说明
ES2M.pdf ES2M -
MURF1040CT.pdf MURF1040CT -
FR107WS SOD-323.pdf FR107WS SOD-323 -
RS3MBF SMBF.pdf RS3MBF SMBF -
US1GW SOD-123FL.pdf US1GW SOD-123FL -
US1GW SOD-123FL.pdf US1GW SOD-123FL -
US1MW SOD-123FL.pdf US1MW SOD-123FL -
ES2JW SOD-123FL.pdf ES2JW SOD-123FL -
US5MC SMC.pdf US5MC SMC -
US5MB SMB.pdf US5MB SMB -
RS5MC SMC.pdf RS5MC SMC -
RS2MW SOD-123FL.pdf RS2MW SOD-123FL -
RS3MB SMB.pdf RS3MB SMB -
US2MF SMAF.pdf US2MF SMAF -
US2MF SMAF.pdf US2MF SMAF -
US2MF SMAF.pdf US2MF SMAF -
US1MF SMAF.pdf US1MF SMAF -
US1MF SMAF.pdf US1MF SMAF -
US1MF SMAF.pdf US1MF SMAF -
US1MF SMAF.pdf US1MF SMAF -
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快恢复二极管

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