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产品介绍：
2SK3018W是一款N沟道低压MOS管，工作电压为30V，*大漏极电流为3A，*大功率为350mW，适用于电源管理和电路控制等领域。该器件采用SOT-323封装，具有体积小、重量轻、易于安装等优点。
主要特性：
- N沟道低压MOS管，适用于低电压电路。
- 工作电压为30V，*大漏极电流为3A，*大功率为350mW。
- 导通电阻低，RDS(on)为8Ω@10V,3A。
- 阈值电压低，Vgs(th)为1.5V@250μA。
- SOT-323封装，具有体积小、重量轻、易于安装等优点。
应用领域：
2SK3018W适用于电源管理和电路控制等领域，包括但不限于以下应用场景：
- DC-DC转换器
- 电机驱动器
- 电源管理器
- 电池保护电路
- 手持设备电路
注意事项：
- 在使用过程中应避免过度压力和过度电流，以免器件受损。
- 请按照数据手册中的规定使用该器件。
- 如有疑问，请咨询生产厂商或专业人士。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| 2SK3018W SOT-323.pdf | 2SK3018W SOT-323 | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@4.5V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,3.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：950mV@50μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@100uA 栅极电荷(Qg@Vgs)- 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)- 工作温度：+150℃@(Tj)
