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SL80N03低压MOS管是一款N沟道MOSFET器件，其主要特点如下：
- 漏源电压（Vdss）为30V，支持低压电路应用。
- 连续漏极电流（Id）高达80A，具有较高的承载能力。
- 导通电阻（RDS(on)）低至6.5mΩ（在Vgs为10V、Id为30A时），有助于减少功率损耗和提高效率。
- 阈值电压（Vgs(th)）为2.5V（在Id为250μA时），方便控制开关状态。
- 封装为TO-252，便于安装和散热。
SL80N03低压MOS管适用于大功率直流/交流转换器、电机驱动器、照明系统、电源管理、电池保护等应用场合。其高承载能力、低导通电阻和低阈值电压等特性，可以帮助设计师实现高效、高性能的电路设计。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL80N03 TO-252.pdf | SL80N03 TO-252 | - |
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类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@4.5V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,3.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：950mV@50μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@100uA 栅极电荷(Qg@Vgs)- 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)- 工作温度：+150℃@(Tj)
