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产品概述：
SL11N65CF是一种N沟道COOLMOS管，具有高电压、高可靠性和低导通电阻等特点，适用于高频开关电源、LED照明、服务器和工业电源等应用。
主要特性：
- 漏源电压(Vdss)：650V
- 连续漏极电流(Id)：11.5A
- 功率(Pd)：32.6W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@10V,7A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
- 封装：TO-220F
性能参数：
- *大击穿电压(BVDSS)：650V
- *大漏电流(IDSS)：1μA
- *大汲极源极电容(Ciss)：1300pF
- 反向传输电容(Coss)：75pF
- 漏源反向恢复时间(trr)：200ns
- 工作温度：-55℃~150℃
产品优势：
- 采用COOLMOS技术，具有低导通电阻和低开关损耗；
- 高电压和大电流的性能使其适用于各种应用；
- 高可靠性，具有短路保护和过温保护功能。
应用领域：
SL11N65CF COOLMOS管适用于高频开关电源、LED照明、服务器和工业电源等领域。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL11N65CF.pdf | SL11N65CF | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：21A 功率(Pd)：33.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,10.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):28W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):318mΩ@10V,4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-252
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：23.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250A
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1500V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 封装：TO-3PF
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@20V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.6V@3.8mA 栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@-5~20V 输入电容(Ciss@Vds):1.68nF@800V 反向传输电容(Crss@Vds):6.7pF@800V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
