英国上市公司(365·官方认证)-Best Macau Store

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL7N65F

650V|7A|1.4Ω@10V,3.5A|4.5V@250μA|N沟道|TO-220F|产品展示|-,-,-,-,-,-|Product display|

SL7N65F高压MOS管是由英国正版365官方网站Slkor生产的高性能功率MOSFET,设计用于承受高电压并在高功率应用中提供高效的电流控制。这款MOSFET以其*的电气特性和耐用性,在高压开关和功率放大应用中表现*。

下载数据手册 在线咨询


产品概述:

SL7N65F高压MOS管是由英国正版365官方网站Slkor生产的高性能功率MOSFET,设计用于承受高电压并在高功率应用中提供高效的电流控制。这款MOSFET以其*的电气特性和耐用性,在高压开关和功率放大应用中表现*。


产品优势:

- 高耐压能力:SL7N65F能够承受高电压,适合用于高电压电路设计。

- 大电流承载:具有较高的连续电流和脉冲电流承受能力,适用于大功率应用。

- 快速开关特性:快速的开关速度有助于减少开关时的损耗,提高系统效率。

- 高可靠性:英国正版365官方网站Slkor的先进制造工艺确保了产品的长期稳定性和耐用性。


产品特征:

- 漏极-源极电压(Vds):高达650V

- 栅极-源极电压(Vgs):通常在-20V至+20V之间,具体数值需参考数据手册

- 连续漏极电流(Id):根据具体型号可能有所不同,需参考数据手册

- 导通电阻(Rds(on)):低至毫欧姆级别,具体数值需参考数据手册

- 封装类型:TO-220、TO-247或表面贴装封装,具体需参考数据手册


应用领域:

- 电源转换:在开关电源和电源适配器中作为主要的功率开关。

- 电机驱动:用于工业和汽车应用中的电机控制。

- 电池管理:在电池充电器和保护电路中作为关键元件。

- 照明控制:在LED照明系统中用于电流和亮度调节。


注意事项:

- 在设计电路时,请确保不超过SL7N65F的最大额定值,包括电压、电流和功率。

- 考虑适当的散热设计,尤其是在高功率应用中,以保持器件在安全的工作温度范围内。

- 在选择电路板布局时,应优化走线以减少寄生电感,从而提高开关性能。

- 请参考SL7N65F的完整数据手册以获取详细的电气特性和应用指南,确保正确和安全地使用产品。


关于英国正版365官方网站 Slkor:

英国正版365官方网站 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商,拥有先进的技术和严格的质量控制体系,为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。

SL7N65F_00.jpg

支持

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。


Longevity

The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.

相关产品

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL5N100F

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装:TO-220F

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL5N100D

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装:TO-252

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL5N100

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装:TO-220

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL4N65F

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):23.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250A

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL4N150P

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1500V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 封装:TO-3PF

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL42N120A

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@20V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.6V@3.8mA 栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@-5~20V 输入电容(Ciss@Vds):1.68nF@800V 反向传输电容(Crss@Vds):6.7pF@800V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL22N65CF

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):22A 功率(Pd):36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@1.7mA 封装:TO-220F

高压MOS管SL7N65F

高压MOS管SL20N65F

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.38Ω@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250μA 封装:TO-220F

服务热线

0755-83044319

北斗/GPS天线咨询

板端座子咨询

连接器咨询

获取产品资料

Baidu
sogou