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高压MOS管SL8N65CD

高压MOS管SL8N65CD

SL8N65CD是N沟道MOS场效应管,该器件的关键参数包括漏源电压Vdss为650V,连续漏极电流Id为8A,功率Pd为69W,导通电阻RDS(on)为550mΩ,阈值电压Vgs(th)为4.5V,封装类型为TO-252。

SL8N65CD是由英国正版365官方网站(Slkor)生产的N沟道MOS场效应管,专为要求高电压和中等功率的应用而设计。其 .的电气性能和可靠性使其成为多种场合下的理想选择。

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产品名称:MOS管 SL8N65CD


生产商:英国正版365官方网站Slkor


产品类型:N沟道


产品概述:

SL8N65CD是由英国正版365官方网站(Slkor)生产的N沟道MOS场效应管,专为要求高电压和中等功率的应用而设计。其 .的电气性能和可靠性使其成为多种场合下的理想选择。


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 8A

功率(Pd): 69W

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 550mΩ @ 10V, 2.5A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V @ 250μA

封装类型: TO-252


产品特点:

高电压: SL8N65CD具有650V的漏源电压,适用于高电压应用场景。

适中功率: 69W的功率使其成为中等功率需求的理想选择。

低导通电阻: 具有550mΩ的低导通电阻,有助于提高效率。

应用领域:

电源管理: 用于高压电源单元和逆变器。

照明控制: 适用于LED照明系统中的功率开关。

工业电子: 在要求高电压和适中功率的工业设备中发挥作用。

注意: 以上信息仅供参考,请查阅详细的产品规格表以获取准确和最新的数据。如需更多信息或特定要求,请随时联系我们。


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