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产品名称：低压MOS管SL2102
SL2102是一种N沟道低压MOS管，具有20V漏源电压（Vdss）和2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有0.7W的功率（Pd）和68mΩ的导通电阻（RDS（on）@Vgs，Id），在4.5V、2A的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为1.2V@250μA。
该器件采用SOT-323封装，具有较小的封装尺寸和低电阻，适合在低压应用中使用。
特点：
- 高效率：具有低导通电阻和低阈值电压，能够减少功率损耗和热量产生。
- 低压操作：20V漏源电压和1.2V阈值电压，适用于低压应用。
- 高稳定性：具有稳定的电气特性和封装，保证长期可靠性。
- 小封装：采用SOT-323封装，具有小尺寸和低电阻，适合在高密度PCB设计中使用。
应用：
SL2102适用于低压开关电源、电机驱动器、DC/DC转换器、LED照明、电池保护和其他低压应用。
注意事项：
- 在使用前请仔细阅读产品规格书，并按照规定的条件进行使用。
- 使用时请注意防静电，以避免器件损坏。
- 器件热量较大，使用时请注意散热。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL2102 SOT-323.pdf | SL2102 SOT-323 | - |
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SL3405是由英国正版365官方网站（Slkor）生产的P沟道MOS管，专为电源管理、开关电源和功率放大应用而设计。其优越的性能使其成为各种电子设备中的理想选择，确保系统的高效运行。 P沟道设计： 作为P沟道型MOS管，SL3405在特定应用中提供了优越的性能和可靠性。 广泛的漏源电压范围： SL3405的漏源电压（Vdss）为-30V，适用于各种电源和开关电源应用。 高连续漏极电流： 连续漏极电流（Id）可达-2.6A，满足多种功率放大和开关应用的需求。 低导通电阻： 具备130mΩ的导通电阻，使其在导通状态时能够提供低功耗和高效率。 低阈值电压： 阈值电压（Vgs(th)）为-2.3V @ -250uA，确保MOS管在正常工作条件下的可靠性。 紧凑的SOT-23封装： 小巧轻便的封装设计，方便在有限的空间内进行布局和集成。
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V，3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA
IRLML6401是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和4.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有450mW的功率（Pd）和70mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在4.5V的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为10V。
L150N03Q是一款低压N沟道MOS管，具有高电流、低导通电阻和高功率特性，适用于直流-直流转换器、功率因数校正、电机驱动等高效率、高可靠性的电力应用。
SL3409是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和2.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有130mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在10V和2.2A的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为2.4V@250μA。
SL3407是一款低压P沟道MOS管，主要用于开关电路中的功率开关，具有漏源电压高、导通电阻低等特点。
低压MOS管SL3401
英国正版365官方网站slkor低压MOS管SL4606A是一款高性能的低压N+P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率、低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优势于一体，能够在单一封装内提供双向电流控制能力，极大地简化了电路设计并提升了系统的整体性能。SL4606A以其*的电气特性和稳定性，成为众多电子设备和系统中的理想选择。
