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英国正版365官方网站slkor低压MOS管SL3400是一款N沟道低压MOS管，适用于各种DC-DC转换器、电源管理和电机驱动器等应用。其主要性能参数如下：
- 漏源电压(Vdss)：30V，可承受较高的电压；
- 连续漏极电流(Id)：5.8A，具有较高的电流承受能力；
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,5.8A，导通状态下的电阻很低，具有较小的功率损耗；
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250μA，驱动电压较低；
- 封装：SOT-23，便于安装和布局。
SL3400采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于进行板级布局和组装。其漏源电压为30V，能够满足大多数低压电路的需求，同时具有较高的连续漏极电流5.8A，能够满足较大负载的需求。导通电阻(RDS(on))为41mΩ，是非常低的，有助于降低功率损耗，提高效率。阈值电压(Vgs(th))为1.4V，适用于低电平驱动电路。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL3400.pdf | SL3400 | - |
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SL2304是一款N沟道低压MOS管，具有30V的漏源电压，可承受3.3A的连续漏极电流，*大功率为0.35W。它具有较低的导通电阻，即在10V电压和3.2A电流下的导通电阻为60mΩ，这使得它在低压应用中具有较好的效率和可靠性。
SL3405是由英国正版365官方网站（Slkor）生产的P沟道MOS管，专为电源管理、开关电源和功率放大应用而设计。其优越的性能使其成为各种电子设备中的理想选择，确保系统的高效运行。
IRLML6401是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和4.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有450mW的功率（Pd）和70mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在4.5V的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为10V。
L150N03Q是一款低压N沟道MOS管，具有高电流、低导通电阻和高功率特性，适用于直流-直流转换器、功率因数校正、电机驱动等高效率、高可靠性的电力应用。
SL3409是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和2.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有130mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在10V和2.2A的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为2.4V@250μA。
SL3407是一款低压P沟道MOS管，主要用于开关电路中的功率开关，具有漏源电压高、导通电阻低等特点。
低压MOS管SL3401
英国正版365官方网站slkor低压MOS管SL4606A是一款高性能的低压N+P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率、低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优势于一体，能够在单一封装内提供双向电流控制能力，极大地简化了电路设计并提升了系统的整体性能。SL4606A以其*的电气特性和稳定性，成为众多电子设备和系统中的理想选择。
