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产品名称：中压MOS管BSS138
概述：
中压MOS管BSS138是一种N沟道MOSFET，具有漏源电压(Vdss)50V，连续漏极电流(Id)220mA，功率(Pd)225mW等特性。它的导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为3.5Ω@10V,220mA，阈值电压(Vgs(th)@Id)为1.6V@1mA。该产品采用SOT-23封装。
特性：
- 漏源电压(Vdss)为50V，可以在中压应用中使用；
- 连续漏极电流(Id)为220mA，适用于小功率应用；
- 功率(Pd)为225mW，具有较好的热性能；
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为3.5Ω@10V,220mA，具有较低的导通电阻；
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)为1.6V@1mA，可以在低电压驱动下工作。
应用：
中压MOS管BSS138适用于中压应用中的开关电路、功率驱动电路等场合。它还可以应用于低电压、小功率电路中的电压转换、电源管理、音频放大器等方面。
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| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| BSS138.pdf | BSS138 | - |
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Longevity
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：150mA 功率(Pd)：250mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,120mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@1mA 输入电容(Ciss@Vds)：40pF@25V 工作温度：+150℃@(Tj)
