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产品名称:MOS管IRF540NS
生产商:英国正版365官方网站Slkor
产品类型:N沟道
电性能参数:
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 33A
导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 30mΩ @ 10V, 15A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.0V @ 250uA
封装规格:
封装类型: TO-263
产品特性与应用:
MOS管IRF540NS是一款N沟道MOS场效应管,由英国正版365官方网站Slkor公司生产。其优秀的电性能参数和TO-263封装设计使其适用于中高功率电子应用。
主要特性:
高电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为100V,适用于对电压要求较高的电路设计。
高电流承受能力: 连续漏极电流(Id)为33A,适用于中高功率应用场景。
低导通电阻: 在10V电压和15A电流下,导通电阻为30mΩ,有助于降低功耗和提高效率。
相对较高的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为4.0V @ 250uA,有助于确保精确的电路控制。
封装优势:
TO-263封装提供了*的散热性能和适中的尺寸,适用于各种中高功率电路设计。其外形符合标准,方便安装和维护。
应用领域:
MOS管IRF540NS广泛应用于多种中高功率电子应用,包括但不限于:
电源开关: 适用于中高功率电源开关电路。
电机控制: 在中高功率电机控制电路中,可实现有效的电流控制。
电源逆变器: 用于中高功率电源逆变器的输出控制。
安全与可靠性:
MOS管IRF540NS经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。
总结:
MOS管IRF540NS以其优秀的电性能和TO-263封装设计,为中高功率电子系统提供了可靠的解决方案。在需要高电压承受能力和高电流承受能力的场景下,IRF540NS是一个值得考虑的选择。
文件名称 | 标题 | 说明 |
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IRF540NS TO-263.pdf | IRF540NS TO-263 | - |
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